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IBM e le memorie PCM

IBM è riuscita ad archiviare 3 bit di dati per cella in modo stabili, grazie alla nuova tecnologia con le memorie PCM


La memoria PCM è veloce sia in lettura e scrittura, offre un’elevata durata (10 milioni di cicli di scrittura), densità e per giunta è non volatile (non perde i dati in assenza di energia, come la memoria DRAM). Il nuovo traguardo di IBM rende la memoria PCM più adatta alle necessità del mercato. Gli scienziati statunitensi prevedono applicazioni singole oppure ibride, che combinano la memoria PCM all’archiviazione flash, con la prima impegnata a ricoprire il compito di cache ad alta velocità.

I materiali PCM esibiscono due stati stabili detti fase amorfa (senza una struttura chiaramente definita) e cristallina (con struttura), in cui rispettivamente vi è una bassa o alta conducibilità elettrica. Per archiviare i bit – uno “0” oppure un “1” – in una cella PCM, è necessario applicare una corrente elettrica alta o media al materiale. Uno “0” può essere programmato per essere scritto nella fase amorfa, mentre un “1” in quella cristallina (o viceversa). Quando è poi necessario leggere il bit, si applica una tensione più bassa, nello stesso modo in cui i dischi Blu-Ray riscrivibili salvano i video.

“La memoria phase change è la prima istanza di una memoria universale, con proprietà sia della DRAM che della flash, rispondendo in tal modo a una delle grandi sfide della nostra industria”, ha affermato il dottor Haris Pozidis, un autore dello studio e manager per la ricerca sulle memorie non volatili dell’IBM Research di Zurigo. “Raggiungere i 3 bit per cella è una pietra miliare perché a questa densità il costo della memoria PCM sarà notevolmente inferiore a quello della DRAM e più vicino alla flash”.

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